[发明专利]一种碳化硅刻蚀工艺腔体装置及使用方法有效
| 申请号： | 202011446420.4 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112614769B | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 廖海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡邑文电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065;H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 重庆市诺兴专利代理事务所(普通合伙) 50239 | 代理人： | 熊军 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅晶片刻蚀技术领域，具体涉及一种碳化硅刻蚀工艺腔体装置及使用方法，包括晶片定位环、边缘环、聚集环、静电盘及绝缘环，绝缘环的内部设置有下电极，下电极与外部的第一射频电源电性连接，绝缘环的顶端固定连接有下水盘，下水盘的上表面开设有环形槽，环形槽的内部设置有环形导热片，静电盘呈三层阶梯圆柱形，上层及中间阶梯圆柱的外壁共同套设有边缘环，边缘环的上表面固定有晶片定位环，下层阶梯圆柱的外壁套设有聚集环；本发明中碳化硅晶片能平整的贴附在静电盘上表面，最大程度降低了碳化硅晶片在工艺过程中所受机械外力影响，也进一步保证了整体良率；气体喷淋头也能往复循环转动，能有效防止刻蚀图形拐角处微沟槽的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 刻蚀 工艺 装置 使用方法 | ||
【主权项】：
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