[发明专利]一种硅片预处理及异质结电池制备方法有效
| 申请号： | 202011429536.7 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112542531B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 付昊鑫;杜俊霖;孟凡英;刘正新;程琼 | 申请（专利权）人： | 中威新能源（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/02;C30B33/10 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 周孝湖 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片预处理及异质结电池制备方法，涉及电池制备前硅片预处理及电池制备，包括制绒清洗，在所述的制绒清洗步骤之前依次包括表面预清洗和扩散吸杂。本发明通过新增硅片预处理工艺，可保证异质结电池所用硅片质量均处于稳定状态且电池效率离散性可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 预处理 异质结 电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
