[发明专利]基板处理装置在审
| 申请号： | 202011399107.X | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN113035740A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 张琼镐;卢熙成;元钟必 | 申请（专利权）人： | TES股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/203 |
| 代理公司： | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人： | 李英艳;玉昌峰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及基板处理装置，更详细地涉及当在腔室内部具备多个工作站时能够调节从各工作站排出废气的排气路径的长度而提高蒸镀于基板的薄膜的厚度均匀度或者调节薄膜的厚度的基板处理装置。基板处理装置具备：腔室，提供用于对基板进行处理的多个处理空间；排气端口，与所述腔室的底座连接成将所述处理空间的废气向所述腔室的外部排出：一对延伸槽部，与所述排气端口流体连通，并在所述腔室的底座沿朝向下方形成的多个下凹陷部的外周形成于至少一部分；以及衬垫组件，设置于所述下凹陷部，并与所述延伸槽部流体连通，并且能够调节所述废气的排气路径的长度。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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