[发明专利]基板处理装置

说明书

本发明涉及基板处理装置，更详细地涉及当在腔室内部具备多个工作站时能够调节从各工作站排出废气的排气路径的长度而提高蒸镀于基板的薄膜的厚度均匀度或者调节薄膜的厚度的基板处理装置。基板处理装置具备：腔室，提供用于对基板进行处理的多个处理空间；排气端口，与所述腔室的底座连接成将所述处理空间的废气向所述腔室的外部排出：一对延伸槽部，与所述排气端口流体连通，并在所述腔室的底座沿朝向下方形成的多个下凹陷部的外周形成于至少一部分；以及衬垫组件，设置于所述下凹陷部，并与所述延伸槽部流体连通，并且能够调节所述废气的排气路径的长度。

技术领域

本发明涉及基板处理装置，更详细地涉及当在腔室内部具备多个工作站时具备从各工作站排出废气的衬垫组件的基板处理装置。

背景技术

通常，基板处理装置在腔室内部对基板进行蒸镀、蚀刻、清洗等工艺，最近为了提高基板处理装置的生产率，正在开发在单个腔室的内部处理多个基板的技术。

图10相当于示出以往技术的基板处理装置的俯视图。如图10所示，在腔室10的底座提供与多个基板(未图示)对应的凹陷部12A、12B、12C、12D。在分别设置于所述凹陷部12A、12B、12C、12D的基板支承部(未图示)安装基板并对基板进行工艺。

在此情况下，在对所述基板进行工艺的过程中或者当工艺结束时，废气通过设置于腔室10的下面的排气端口14A、14B、14C、14D向腔室10的外部排出。此时，为了提高腔室10下方的空间活用度并简化结构，所述排气端口14A、14B、14C、14D分别设置于相邻的凹陷部12A、12B、12C、12D之间。

在如上那样配置排气端口14A、14B、14C、14D的情况下，废气在各凹陷部12A、12B、12C、12D中沿图中示出的箭头流动而向排气端口14A、14B、14C、14D排出。

但是，这样的以往技术的基板处理装置存在如下缺点：在配置于各凹陷部12A、12B、12C、12D中的基板的上面向排气端口14A、14B、14C、14D流动的工艺气体的流向出现偏斜的倾向，从而蒸镀于基板的薄膜的均匀度降低。

发明内容

为了解决上述那样的问题，本发明的目的在于提供当在腔室内部具备多个工作站时能够调节从各工作站排出废气的排气路径的长度的基板处理装置。

另外，本发明的目的在于提供能够提高蒸镀于基板的薄膜的厚度均匀度或者调节薄膜的厚度的基板处理装置。

如上述那样的本发明的目的通过如下基板处理装置达到，所述基板处理装置，其特征在于，具备：腔室，提供用于对基板进行处理的多个处理空间；排气端口，与所述腔室的底座连接成将所述处理空间的废气向所述腔室的外部排出：一对延伸槽部，与所述排气端口流体连通，并在所述腔室的底座沿朝向下方形成的多个下凹陷部的外周形成于至少一部分；以及衬垫组件，设置于所述下凹陷部，并与所述延伸槽部流体连通，并且能够调节所述废气的排气路径的长度。

在此，可以是，所述排气路径包括：可变排气路径，形成于所述延伸槽部的至少一部分区间，所述可变排气路径是所述衬垫组件中排出所述废气的排气口与所述排气端口之间的区间，所述衬垫组件调节所述可变排气路径的长度。

另一方面，可以是，所述可变排气路径形成于所述衬垫组件的外周面与所述延伸槽部之间的空间。

另外，可以是，所述衬垫组件包括：第一衬垫，分别设置于所述下凹陷部，在所述第一衬垫的圆周上配置有供废气呈放射状排出的多个排气槽；以及第二衬垫，在所述下凹陷部中向所述第一衬垫的外侧隔开预先决定的间隔量配置，并形成供废气移动的排气流路，在所述第二衬垫形成有一对排气口。

进而，可以是，所述第二衬垫在所述下凹陷部的内侧以能够旋转的方式配置，能够调节通过所述排气口分别排出的废气的排气路径的长度。