[发明专利]基板处理装置在审
| 申请号: | 202011399107.X | 申请日: | 2020-12-02 |
| 公开(公告)号: | CN113035740A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
| 发明(设计)人: | 张琼镐;卢熙成;元钟必 | 申请(专利权)人: | TES股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/203 |
| 代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;玉昌峰 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,具备:
腔室,提供用于对基板进行处理的多个处理空间;
排气端口,与所述腔室的底座连接成将所述处理空间的废气向所述腔室的外部排出:
一对延伸槽部,与所述排气端口流体连通,并在所述腔室的底座沿朝向下方形成的多个下凹陷部的外周形成于至少一部分;以及
衬垫组件,设置于所述下凹陷部,并与所述延伸槽部流体连通,并且能够调节所述废气的排气路径的长度。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述排气路径包括:
可变排气路径,形成于所述延伸槽部的至少一部分区间,所述可变排气路径是所述衬垫组件中排出所述废气的排气口与所述排气端口之间的区间,
所述衬垫组件调节所述可变排气路径的长度。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述可变排气路径形成于所述衬垫组件的外周面与所述延伸槽部之间的空间。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述衬垫组件包括:
第一衬垫,分别设置于所述下凹陷部,在所述第一衬垫的圆周上配置有供废气呈放射状排出的多个排气槽;以及
第二衬垫,在所述下凹陷部中向所述第一衬垫的外侧隔开预先决定的间隔量配置,并形成供废气移动的排气流路,在所述第二衬垫形成有一对排气口。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第二衬垫在所述下凹陷部的内侧以能够旋转的方式配置,能够调节通过所述排气口分别排出的废气的排气路径的长度。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第二衬垫具备底座部以及从所述底座部的边缘朝向上方形成的侧壁部,
所述排气口从所述侧壁部扩展至所述底座部的一部分。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述一对延伸槽部形成为以所述下凹陷部的中央部为中心对称。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,
所述排气端口分别连接于相邻的下凹陷部的延伸槽部。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述排气端口连接成以所述下凹陷部的中央部为中心非对称。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TES股份有限公司,未经TES股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011399107.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





