[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202011386134.3 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112992852A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 久保俊次;安藤公一;井尾英治;田岛英幸;饭田哲也 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L27/06;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括基座构件、多层布线层和第一电阻元件。多层布线层被形成在基座构件上。第一电阻元件被形成在多层布线层中。第一电阻元件包括第一导电部分、第二导电部分和第三导电部分。第二导电部分被形成在第一导电部分之上。第三导电部分将第一导电部分和第二导电部分彼此电连接。第三导电部分在沿基座构件的表面的第一方向上的长度，大于第三导电部分在沿基座构件的表面的第二方向上的长度，并且第二方向垂直于第一方向。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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