[发明专利]包括接触插塞的半导体装置在审
| 申请号： | 202011370992.9 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN113540113A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 金基玄;权宁镐;李相錄 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置，其包括具有第一下导电图案的下电路结构。中间布线结构设置在下电路结构上并且包括水平布线。中间电路结构设置在中间布线结构上并且包括交替的布线层和绝缘层的堆叠结构。沟道结构延伸至堆叠结构的内部并且接触水平布线。接触第一下导电图案和水平布线的接触插塞设置在中间布线结构中。沟道结构的最下端比水平布线的底表面相对更远离衬底的顶表面。接触插塞的最上端比水平布线的底表面相对更远离衬底的顶表面，并且接触插塞的最上端被设置为比布线层中的每一个的最下端相对更靠近衬底的顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 接触 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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