[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011360538.5 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN114566535A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 赵树峰 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底、多层半导体层、介质层、栅极、源极和漏极，介质层至少包括靠近衬底的第一介质层和远离衬底的第二介质层；介质层中形成有栅极沟槽，栅极沟槽至少包括贯穿第一介质层的第一子沟槽和贯穿第二介质层的第二子沟槽，第二子沟槽在衬底上的垂直投影覆盖第一子沟槽在衬底上的垂直投影；栅极至少包括相互连接且叠层设置的第一栅极分部、第二栅极分部和第三栅极分部，第一栅极分部填充第一子沟槽，第二栅极分部填充第二子沟槽，第三栅极分部在衬底上的垂直投影覆盖第二栅极分部在衬底上的垂直投影。该半导体器件的栅极同时兼备低电阻和低寄生电容，具有良好的高频特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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