[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底一侧的多层半导体层；

位于所述多层半导体层远离所述衬底一侧的至少两层介质层，至少两层所述介质层至少包括第一介质层和第二介质层，所述第一介质层靠近所述衬底一侧，所述第二介质层位于所述第一介质层远离所述衬底的一侧；所述介质层中形成有栅极沟槽，所述栅极沟槽至少包括第一子沟槽和第二子沟槽，所述第一子沟槽贯穿所述第一介质层，所述第二子沟槽贯穿所述第二介质层，且所述第二子沟槽在所述衬底上的垂直投影覆盖所述第一子沟槽在所述衬底上的垂直投影；

至少位于所述栅极沟槽中的栅极，以及位于所述多层半导体层远离所述衬底一侧的源极和漏极，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间；所述栅极至少包括相互连接且叠层设置的第一栅极分部、第二栅极分部和第三栅极分部，所述第一栅极分部填充所述第一子沟槽，所述第二栅极分部填充所述第二子沟槽，所述第三栅极分部在所述衬底上的垂直投影覆盖所述第二栅极分部在所述衬底上的垂直投影。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，至少两层所述介质层还包括第三介质层，所述第三介质层位于所述第二介质层远离所述衬底的一侧；

所述栅极沟槽还包括第三子沟槽，所述第三子沟槽贯穿所述第三介质层，且所述第三子沟槽在所述衬底上的垂直投影覆盖所述第二子沟槽在所述衬底上的垂直投影；

至少部分所述第三栅极分部填充所述第三子沟槽。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一子沟槽包括靠近所述衬底一侧的第一开口和远离所述衬底一侧的第二开口，所述第二开口的开口面积大于或者等于所述第一开口的开口面积；

所述第二子沟槽包括靠近所述衬底一侧的第三开口和远离所述衬底一侧的第四开口，所述第四开口的开口面积大于所述第三开口的开口面积；

所述第三子沟槽包括靠近所述衬底一侧的第五开口和远离所述衬底一侧的第六开口，所述第六开口的开口面积大于所述第五开口的开口面积。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第三开口的开口面积等于所述第二开口的开口面积，所述第五开口的开口面积等于所述第四开口的开口面积。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第二子沟槽还包括第一侧壁，所述第一侧壁连接所述第三开口和所述第四开口，所述第一侧壁的截面形状包括第一弧形，且所述第一弧形朝向背离所述栅极沟槽中心的一侧凸起；

所述第三子沟槽还包括第二侧壁，所述第二侧壁连接所述第五开口和所述第六开口，所述第二侧壁的截面形状包括第二弧形，且所述第二弧形朝向背离所述栅极沟槽中心的一侧凸起。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第一侧壁和所述第二侧壁具备公切面，所述公切面与所述衬底所在平面的夹角为α，其中30°≤α≤60°，或者120°≤α≤150°。