[发明专利]用于表征PN结耗尽区特征的WAT测试结构和方法有效
| 申请号： | 202011355641.0 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112490216B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 盖如坤;王骞;谢亚锋 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 栾美洁 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于表征PN结耗尽区特征的WAT测试结构及方法，所述测试结构的有源区中形成有N阱，所述N阱的周围形成有浅槽隔离结构，在所述N阱的上方形成有多个不同宽度的栅极结构，所述栅极结构均由栅氧化层、栅极导电材料层和侧墙组成，所述有源区内还形成有位于各栅极结构一侧的PLDD区域，所述PLDD区域和所述N阱形成PN结，所述PN结的交界面呈台阶状并在所述栅极结构下方形成耗尽区；所述N阱的一端引出为量测端，另一端引出为接地端，所述PLDD区域引出为偏压端。本发明通过上述新型的WAT测试结构及测试方法可以计算出PN结的耗尽区宽度、不同宽度的夹断电压以及评估不同IMP注入方向和角度下的掺杂情况。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 表征 pn 耗尽 特征 wat 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
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