[发明专利]硒化镉类单晶薄膜制备方法、太阳能电池制备方法及产物有效
| 申请号： | 202011355151.0 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112490298B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 唐江;李康华;陈超;牛广达;林雪甜;卢岳;杨许可 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0296;H01L31/18 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硒化镉类单晶薄膜制备方法、太阳能电池制备方法及产物，属于光电材料领域，薄膜制备方法包括：(S1)将导电基底加热至第一预设温度并维持第一预设时间；(S2)以硒化镉粉末为蒸发源，将蒸发源加热至第二预设温度后，利用快速热蒸发法在导电基底上沉积得到晶体取向单一的硒化镉薄膜；在此基础上，太阳能电池制备方法包括：(T1)活化导电基底上沉积的硒化镉薄膜；(T2)在硒化镉薄膜的表面旋涂一层高分子空穴收集层；(T3)在高分子空穴收集层的表面旋涂一层Cu基空穴收集层；(T4)在Cu基空穴收集层的表面沉积顶电极。本发明制备的硒化镉薄膜可以很好地应用于制备叠层太阳能电池，并且可应用于大规模量产。 | ||
| 搜索关键词： | 硒化镉类单晶 薄膜 制备 方法 太阳能电池 产物 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
