[发明专利]三维存储器的制备方法及气动机械装置有效
申请号: | 202011332486.0 | 申请日: | 2020-11-24 |
公开(公告)号: | CN112436016B | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | 宋冬门;周永平 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/11568 | 分类号: | H01L27/11568;H01L27/11582;H01L21/67 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永强 |
地址: | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本申请公开了一种三维存储器的制备方法及气动机械装置。三维存储器的制备方法包括:提供预处理的晶圆,晶圆包括层叠设置的衬底及堆叠层,其中,晶圆的翘曲度大于或等于目标值;在衬底背离堆叠层的一侧形成应力层;朝面向堆叠层的方向通入保护气体,以将晶圆悬置于反应腔内;并且,通入反应腔内的保护气体的温度大于常温,以预热晶圆;以及朝面向应力层的方向输入刻蚀介质,以刻蚀应力层;其中,输入的刻蚀介质的温度大于常温,以提高刻蚀应力层的速率。本申请提供的三维存储器的制备方法,提高了刻蚀应力层的均一性。 | ||
搜索关键词: | 三维 存储器 制备 方法 气动 机械 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的