[发明专利]半导体结构形成在审
| 申请号： | 202011330998.3 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN113130754A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | S·萨卡尔;J·A·伊莫尼吉;K·H·庄;J·J·J·穆图拉伊;亚诺什·富克斯科;B·E·格林伍德;F·M·古德 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L27/28;H01L21/67;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了与半导体结构形成相关的系统、设备和方法。实例设备包括用于半导体装置的结构材料。所述结构材料包括具有数个氧(O)原子和化学键的原硅酸盐衍生的低聚物，所述数个氧(O)原子各自化学键合至对应数量的硅(Si)原子中的一个上，所述化学键在来自元素周期表的第13族的元素(例如B、Al、Ga、In和Tl)和所述原硅酸盐衍生的低聚物的所述数个O原子之间形成。相对于没有所述化学键交联链而形成的所述结构材料，所述化学键使所述原硅酸盐衍生的低聚物的链交联以增加所述结构材料的机械强度，以及具有本文中所述的其它益处。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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