[发明专利]一种堆叠键合式IGBT器件在审
| 申请号： | 202011321046.5 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN112420630A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 罗景涛;严可为 | 申请（专利权）人： | 西安众力为半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L29/739;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 王营超 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种堆叠键合式IGBT器件，包括MOS结构芯片、衬底晶圆片和台面钝化保护层；MOS结构芯片键合于衬底晶圆片的上方，台面钝化保护层位于衬底晶圆片的上表面和MOS结构芯片的两端及其上表面的两侧，MOS结构芯片的宽度小于所述衬底晶圆片的宽度。本发明采用堆叠‑键合技术制作的IGBT器件，因为不存在“薄片‑背面加工”的步骤，避免了难度很大且成本很高的薄片工艺、背加工工艺；能够显著压缩制造成本，同时针对台面结构进行了钝化和保护，连同器件原有的终端等保护结构在一起，充分提供了对于器件性能的保障。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 堆叠 合式 igbt 器件 | ||
【主权项】：
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