[发明专利]三维相变存储器及其制备方法

摘要

本发明实施例公开了一种三维相变存储器及其制备方法，其中，所述三维相变存储器包括：沿第一方向延伸的第一导电线、沿第二方向延伸的第二导电线以及位于所述第一导电线和所述第二导电线相交处的相变存储单元；其中，所述第一方向与所述第二方向平行于同一平面且彼此垂直；所述相变存储单元包括在第三方向上堆叠分布的选通层、相变存储层、第一膜层和第二膜层，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向；所述第一膜层的上表面和/或所述第二膜层的上表面为经过粗糙化处理的粗糙面；所述选通层和所述相变存储层分别通过在所述第一膜层的上表面和所述第二膜层的上表面执行沉积工艺而形成。