[发明专利]防止晶圆翘曲的热退火处理方法及装置在审
| 申请号： | 202011295994.6 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112233979A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 周星星;曹志伟;郑刚 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种防止晶圆翘曲的热退火处理方法及装置。其中方法包括：将目标晶圆，由圆心至外缘位置，依次划分为n块封闭的加热区，其中n为正整数；以对应加热条件分别对n块加热区进行加热，使得n块加热区，由目标晶圆的圆心至外缘位置处，对应的温度逐渐递减，使得目标晶圆在快速热退火过程中的热应力由目标晶圆的中心向边缘延展。装置包括：工作腔，若干目标晶圆依次进入热退火处理装置的工作腔中，进行如上述的防止晶圆翘曲的热退火处理方法，可以解决相关技术中在快速热退火过程中，晶圆边缘由于过热产生热膨胀，使晶圆上的应力由边缘向中心压缩，从而使得晶圆整体呈现下凹形变的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 晶圆翘曲 退火 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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