[发明专利]一种宽禁带碳化硅基半导体逆变器在审

专利信息
申请号: 202011286841.5 申请日: 2020-11-17
公开(公告)号: CN112421980A 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 陈虎;刘纪;门正兴;王子强 申请(专利权)人: 成都航空职业技术学院
主分类号: H02M7/5387 分类号: H02M7/5387;H02M1/08
代理公司: 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 代理人: 肖芳
地址: 610199 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种宽禁带碳化硅基半导体逆变器,包括控制电路模块、驱动电路模块、逆变电路模块、电源电路模块、面板电路模块、温度保护电路模块、RS485接口、24V电源输入接口和电源插座。本发明的宽禁带碳化硅基半导体逆变器提高了传统逆变的效率,增强了逆变系统的稳定性和可靠性。其耐工作温度高,小型化,系统集成化,开关速率高,散热少,节省空间。并且利用FPGA作为主控芯片,提高了数据处理的速率。本发明使用了更宽带隙的半导体禁带结构,提升了能量密度,降低温度的影响,拥有更低延迟的开关速率,并且可应用于各个领域的逆变方案。
搜索关键词: 一种 宽禁带 碳化硅 半导体 逆变器
【主权项】:
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