[发明专利]功率半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202011278464.0 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN114512544A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 李序恒;陈美玲;张立鸣 | 申请（专利权）人： | 创亿半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种功率半导体元件及其制造方法，该功率半导体元件包括：具有第一电性的外延层、第一阱区、第二阱区、浮置掺杂区、第一掺杂区、第二掺杂区和栅极结构。第一阱区和第二阱区具有第二电性，分别由外延层的表面延伸进入该外延层，且第一阱区和第二阱区彼此分离。浮置掺杂区具有第二电性，位于外延层中，第一阱区和第二阱区之间，且与第一阱区和第二阱区分离。第一掺杂区和第二掺杂区具有第一电性，分别由外延层的表面延伸进入第一阱和第二阱区之中。栅极结构位于外延层上，邻接第一掺杂区和第二掺杂区，且与浮置掺杂区至少部分重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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