[发明专利]一种基于同轴硅通孔的三维变压器

摘要

本发明公开了一种基于同轴硅通孔的三维变压器，包括硅衬底层，硅衬底层中设置有2×N的同轴硅通孔阵列，硅衬底层的一端连接有顶部介质层，另一端连接有底部介质层。每个所述同轴硅通孔从内到外依次为同轴设置的中心金属柱，介质层，外侧环形金属以及绝缘层。同轴硅通孔的采用，使得本发明所需使用的硅通孔数量仅为2N,实现了小的芯片占用面积，这对提高射频电路的集成度是有利的。同时使用同轴硅通孔可以提高初级线圈与次级线圈之间的耦合，使变压器具有更低的损耗，改善了变压器的电学性能。