[发明专利]阵列基板及其制作方法有效
| 申请号： | 202011269016.4 | 申请日： | 2020-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112289744B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 罗成志 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 高杨丽 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种阵列基板及其制作方法。该阵列基板的制作方法包括：在衬底上形成第一有源材料层及第一光阻层；利用一多段式掩膜版对该第一有源材料层及该第一光阻层图案化处理，形成第一驱动电路层的第一有源构件以及第一光阻图案，该第一光阻图案在该第一有源构件上的正投影位于该第一有源构件内；利用预设工艺对该第一光阻图案及未被该第一光阻图案覆盖的该第一有源构件处理，形成保护构件以及形成第一降阻部；在该衬底上形成与该第一降阻部电连接的第一源漏极层。本申请通过在第一有源构件上设置保护构件，在邻近膜层蚀刻过程中，避免了第一有源构件被损坏，提高了阵列基板的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
