[发明专利]一种多晶硅生长炉在审

专利信息
申请号: 202011244537.4 申请日: 2020-11-10
公开(公告)号: CN112281212A 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 唐群煜;陆道文;汤唐正正 申请(专利权)人: 无锡双雄通用机械有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B28/06
代理公司: 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 代理人: 顾吉云
地址: 214181 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种多晶硅生长炉,其通过设置冷却结构对该生长炉进行冷却,从而降低了爆炸风险。其包括炉体本体,所述炉体本体的两端分别设有活动连接的左法兰盖和右法兰盖,其特征在于:所述炉体本体包括两端部密封连接的内筒体和外筒体,所述内筒体与所述外筒体之间设有螺旋形第一导流板,所述外筒体的上端和下端分别设有冷却液的进水口和出水口,所述左法兰盖和所述右法兰盖分别通过悬吊机构与所述炉体本体转动连接,所述右法兰盖的中心处及沿中心外周均匀分布有仪表放置孔,沿所述右法兰盖上还设有供反应介质进入的送料孔;所述左法兰盖的内部设有冷却结构。
搜索关键词: 一种 多晶 生长
【主权项】:
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