[发明专利]一种多晶硅生长炉在审
| 申请号: | 202011244537.4 | 申请日: | 2020-11-10 |
| 公开(公告)号: | CN112281212A | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
| 发明(设计)人: | 唐群煜;陆道文;汤唐正正 | 申请(专利权)人: | 无锡双雄通用机械有限公司 |
| 主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司: | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人: | 顾吉云 |
| 地址: | 214181 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 多晶 生长 | ||
1.一种多晶硅生长炉,其包括炉体本体,所述炉体本体的两端分别设有活动连接的左法兰盖和右法兰盖,其特征在于:所述炉体本体包括两端部密封连接的内筒体和外筒体,所述内筒体与所述外筒体之间设有螺旋形第一导流板,所述外筒体的上端和下端分别设有冷却液的进水口和出水口,所述左法兰盖和所述右法兰盖分别通过悬吊机构与所述炉体本体转动连接,所述右法兰盖的中心处及沿中心外周均匀分布有仪表放置孔,沿所述右法兰盖上还设有供反应介质进入的送料孔;所述左法兰盖的内部设有冷却结构。
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅生长炉,其特征在于:所述冷却结构包括设于所述左法兰盖的内部的冷却腔,所述冷却腔内的上端和下端分别设有冷却液接入接头和排出接头,所述冷却腔内壁上设有第二导流板,所述第二导流板包括交错设置的第一导流条和第二导流条,所述第一导流条为居中的一根导流条横、且其两端分别与所述冷却腔的侧壁均留有空隙,所述第二导流条为对称分布的两根导流横条、且其两端分别与所述冷却腔的侧壁连接。
3.根据权利要求2所述的一种多晶硅生长炉,其特征在于:沿所述左法兰盖及所述右法兰盖的外周的边缘处均匀分布有通孔,所述炉体本体两端的端壁侧面上分别设有与所述通孔相对应的连接孔,所述通孔与所述连接孔通过连接螺栓及螺母连接固定。
4.根据权利要求3所述的一种多晶硅生长炉,其特征在于:所述炉体本体两端的端壁侧面上还分别设有第一密封环和第二密封环。
5.根据权利要求4所述的一种多晶硅生长炉,其特征在于:所述悬吊机构包括一端与所述炉体本体转动连接的连接臂,所述连接臂的另一端通过吊杆与所述左法兰盖或所述右法兰盖连接。
6.根据权利要求5所述的一种,其特征在于:所述左法兰盖上、所述右法兰盖的外端面上分别设有把手。
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