[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202011243355.5 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112071899A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 李晓锋;黄富强 | 申请（专利权）人： | 浙江里阳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/8232 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 地址： | 317600 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其制造方法，其结构包括第一掺杂类型的衬底、穿通区、第一注入区以及第二注入区，穿通区、第一注入区以及第二注入区为第二掺杂类型，穿通区上定义有沟槽区，沟槽区将衬底划分为多个芯片区；第一注入区和第二注入区均与穿通区相连通。第一注入区与衬底形成PN结，第二注入区与衬底也形成PN结，又由于第一注入区和第二注入区通过穿通区连通，因此，可以在衬底中形成PN结的各种器件，该器件可以根据电路设计的需要，选择在不同位置引出电极，从而加工成为不同功能的器件，具有很强的应用灵活性，由于前序工艺固定，不必要再多设计掩膜版或其他刻蚀步骤，因此，可以提高生产效率，也可以降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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