[发明专利]一种光电探测器及其制作方法有效
申请号: | 202011218910.9 | 申请日: | 2020-11-04 |
公开(公告)号: | CN112397594B | 公开(公告)日: | 2022-03-25 |
发明(设计)人: | 余长亮 | 申请(专利权)人: | 烽火通信科技股份有限公司;武汉飞思灵微电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/0352;H01L31/102 |
代理公司: | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人: | 曲卫涛 |
地址: | 430000 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及半导体集成电路技术领域,提供了一种光电探测器及其制作方法。光电探测器区包括与N极相连的半月环形n+扩散区、与P极相连的环形p+扩散区和受光区;其中,受光区位于所述环形p+扩散区的环腔内,所述半月环形n+扩散区设置在与所述环形p+扩散区外环相差指定距离位置;电阻区包括电阻和R极,其中,电阻的两端分别连接R极和光电探测器的N极;其中,R极用于连接给光电探测器供电的管脚VAPD;光电探测器的N极还用于连接第一电容后,由第一电容的另一端完成接地,以便对管脚VAPD输入供电信号进行滤波。本发明解决了10G接入终端设备的光接收灵敏度因5G WiFi串扰而显著劣化的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 光电 探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的