[发明专利]尾气装置和半导体工艺设备

摘要

本申请公开一种尾气装置，所公开的尾气装置包括壳体和尾气导流件，尾气导流件设置于壳体内，尾气导流件将壳体分为导流腔和排气腔，导流腔设有进气口，进气口用于通入半导体工艺腔室排出的尾气；排气腔设有排气口，用于排出尾气；尾气导流件的中部设有贯通的渐缩通道，渐缩通道沿尾气流通的方向开口尺寸逐渐缩小；尾气导流件背离进气口的一侧为导流直面，导流直面垂直于排气腔的侧壁，且导流直面在排气腔的底壁上的投影位于侧壁围设的区域内。上述方案能够解决背景技术中的半导体材料在外延生长时尾气湍流较为严重而影响半导体材料的外延生长质量的问题。