[发明专利]一种用于高功率脉冲激光能量衰减的制冷陷阱衰减器有效
| 申请号: | 202011184921.X | 申请日: | 2020-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN112466981B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
| 发明(设计)人: | 曹强;高阳;刘胜;王若楠;杜渐 | 申请(专利权)人: | 武汉大学;北京仿真中心 |
| 主分类号: | H01L31/105 | 分类号: | H01L31/105;H01L31/024;H01L35/32;H01L35/02 |
| 代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 胡建文 |
| 地址: | 430072*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种用于高功率脉冲激光能量衰减的制冷陷阱衰减器,包括PIN芯片,PIN芯片具有设有光敏层的探测端,PIN芯片连接有温控转换装置,温控转换装置分别与P型半导体和N型半导体连接,用于使PIN芯片在探测模式与制冷模式之间切换,在制冷模式下,PIN芯片与温控转换装置组合构成为帕尔贴制冷片;探测端还设有环形导电导热层,PIN芯片的P型半导体和N型半导体均与导电导热层接触,光敏层嵌装于导电导热层的内环中;PIN芯片的另一端设有散热装置。本发明设计出PIN芯片与帕尔贴制冷片二合一的探测装置,通过温控转换装置实行该探测装置工作模式的转换,可使PIN芯片的光敏层温度处在安全范围内,显著地提高探测器件的热稳定性,减少超强激光对器件的损伤。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 用于 功率 脉冲 激光 能量 衰减 制冷 陷阱 衰减器 | ||
【主权项】:
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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