[发明专利]一种用于高功率脉冲激光能量衰减的制冷陷阱衰减器有效
| 申请号: | 202011184921.X | 申请日: | 2020-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN112466981B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
| 发明(设计)人: | 曹强;高阳;刘胜;王若楠;杜渐 | 申请(专利权)人: | 武汉大学;北京仿真中心 |
| 主分类号: | H01L31/105 | 分类号: | H01L31/105;H01L31/024;H01L35/32;H01L35/02 |
| 代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 胡建文 |
| 地址: | 430072*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 功率 脉冲 激光 能量 衰减 制冷 陷阱 衰减器 | ||
1.一种用于高功率脉冲激光能量衰减的制冷陷阱衰减器,包括PIN芯片,所述PIN芯片具有设有光敏层的探测侧面,其特征在于:
所述PIN芯片连接有温控转换装置,所述温控转换装置分别与所述PIN芯片的P型半导体和N型半导体连接;所述温控转换装置用于使所述PIN芯片在探测模式与制冷模式之间切换,在所述制冷模式下,所述PIN芯片与所述温控转换装置组合构成为一帕尔贴制冷片;
所述探测侧面还设有环形导电导热层,所述PIN芯片的P型半导体和N型半导体均与所述导电导热层接触,所述光敏层嵌装于所述导电导热层的内环中;
所述PIN芯片还具有与所述探测侧面相对的散热侧面,所述散热侧面设有散热装置;
所述P型半导体和N型半导体分别通过转换铜片与所述散热装置连接,所述温控转换装置包括双刀开关和控制电源,所述控制电源具有两个正极接点和两个负极接点,其中,
所述P型半导体通过导线与其中一个正极接点电连接,所述P型半导体的转换铜片与其中一个负极接点电连接,
所述双刀开关的其中一条控制线路分别与所述N型半导体以及另一负极接点连接,所述双刀开关的另一条控制线路分别与所述N型半导体的转换铜片以及另一正极接点电连接。
2.如权利要求1所述的用于高功率脉冲激光能量衰减的制冷陷阱衰减器,其特征在于:所述转换铜片与所述散热装置之间设有绝缘层。
3.如权利要求1所述的用于高功率脉冲激光能量衰减的制冷陷阱衰减器,其特征在于:在所述探测侧面附近设有温度传感器,所述温度传感器与所述温控转换装置联锁控制。
4.如权利要求1所述的用于高功率脉冲激光能量衰减的制冷陷阱衰减器,其特征在于:所述导电导热层为导电导热铜片,其中间挖孔以嵌置所述光敏层。
5.如权利要求1所述的用于高功率脉冲激光能量衰减的制冷陷阱衰减器,其特征在于:所述散热装置采用硅-铜平板微热管散热器、置入式密排热管阵列散热器、微米级铜管散热器、多孔微热沉散热器或密排毛细液冷散热器。
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