[发明专利]一种用于高功率脉冲激光能量衰减的制冷陷阱衰减器有效

专利信息
申请号: 202011184921.X 申请日: 2020-10-30
公开(公告)号: CN112466981B 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 曹强;高阳;刘胜;王若楠;杜渐 申请(专利权)人: 武汉大学;北京仿真中心
主分类号: H01L31/105 分类号: H01L31/105;H01L31/024;H01L35/32;H01L35/02
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 胡建文
地址: 430072*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 功率 脉冲 激光 能量 衰减 制冷 陷阱 衰减器
【权利要求书】:

1.一种用于高功率脉冲激光能量衰减的制冷陷阱衰减器,包括PIN芯片,所述PIN芯片具有设有光敏层的探测侧面,其特征在于:

所述PIN芯片连接有温控转换装置,所述温控转换装置分别与所述PIN芯片的P型半导体和N型半导体连接;所述温控转换装置用于使所述PIN芯片在探测模式与制冷模式之间切换,在所述制冷模式下,所述PIN芯片与所述温控转换装置组合构成为一帕尔贴制冷片;

所述探测侧面还设有环形导电导热层,所述PIN芯片的P型半导体和N型半导体均与所述导电导热层接触,所述光敏层嵌装于所述导电导热层的内环中;

所述PIN芯片还具有与所述探测侧面相对的散热侧面,所述散热侧面设有散热装置;

所述P型半导体和N型半导体分别通过转换铜片与所述散热装置连接,所述温控转换装置包括双刀开关和控制电源,所述控制电源具有两个正极接点和两个负极接点,其中,

所述P型半导体通过导线与其中一个正极接点电连接,所述P型半导体的转换铜片与其中一个负极接点电连接,

所述双刀开关的其中一条控制线路分别与所述N型半导体以及另一负极接点连接,所述双刀开关的另一条控制线路分别与所述N型半导体的转换铜片以及另一正极接点电连接。

2.如权利要求1所述的用于高功率脉冲激光能量衰减的制冷陷阱衰减器,其特征在于:所述转换铜片与所述散热装置之间设有绝缘层。

3.如权利要求1所述的用于高功率脉冲激光能量衰减的制冷陷阱衰减器,其特征在于:在所述探测侧面附近设有温度传感器,所述温度传感器与所述温控转换装置联锁控制。

4.如权利要求1所述的用于高功率脉冲激光能量衰减的制冷陷阱衰减器,其特征在于:所述导电导热层为导电导热铜片,其中间挖孔以嵌置所述光敏层。

5.如权利要求1所述的用于高功率脉冲激光能量衰减的制冷陷阱衰减器,其特征在于:所述散热装置采用硅-铜平板微热管散热器、置入式密排热管阵列散热器、微米级铜管散热器、多孔微热沉散热器或密排毛细液冷散热器。

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