[发明专利]一种低电容的高速光电二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低电容的高速光电二极管及其制备方法，所述高速光电二极管由下至上包括第一电极、衬底、外延层和第二电极，还包括有机聚合物层；外延层由下至上包括第一半导体层、I层和第二半导体层以形成PIN结构，其中第二半导体层设有光敏区，第二电极包括与光敏区的边缘接触的环形部和由环形部向外侧延伸的引出部；引出部下方的外延层设有若干向下延伸的孔洞结构，有机聚合物层设于引出部和第二半导体层之间并填充所述孔洞结构。本发明通过在电极下方制作孔洞状结构，并在孔洞结构内填充有机聚合物及上方覆盖有机聚合物层，两者结合达到降低芯片的电极电容的目的。