[发明专利]半导体晶片切割方法在审
| 申请号： | 202011153119.4 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN113035780A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | M·哈尼奇内茨;J·霍普金斯;O·安塞尔 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/263 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种用于将晶片切割成个别裸片的半导体晶片切割方法，每一裸片包括一个集成电路。所述方法包括：‑将涂层安置于所述晶片上；‑移除所述涂层的至少一部分以暴露所述晶片的将沿着其切割所述晶片的区域以形成工件；‑将所述工件安置于处理室内的压板上；‑以一组等离子体处理条件对所述工件进行等离子体处理以蚀刻所述晶片的所述经暴露区域的一部分，从而形成在所述涂层下面横向延伸以形成底切的晶片凹槽；‑以不同于所述等离子体处理条件的一组等离子体蚀刻条件对所述工件进行等离子体蚀刻，以蚀刻穿过所述晶片且沿着所述晶片凹槽切割所述晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 切割 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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