[发明专利]半导体晶片切割方法

权利要求书

1.一种用于将晶片切割成个别裸片的半导体晶片切割方法，每一裸片包括一个集成电路，所述方法包括：

-将涂层安置于所述晶片上；

-移除所述涂层的至少一部分以暴露所述晶片的将沿着其切割所述晶片的区域以形成工件；

-将所述工件安置于处理室内的压板上；

-以一组等离子体处理条件对所述工件进行等离子体处理以蚀刻所述晶片的所述经暴露区域的一部分，从而形成在所述涂层下面横向延伸以形成底切的晶片凹槽；

-以一组等离子体蚀刻条件对所述工件进行等离子体蚀刻，以蚀刻穿过所述晶片且沿着所述晶片凹槽切割所述晶片。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片切割方法，其中使用光学光刻技术移除所述涂层的所述至少一部分以形成经图案化涂层。

3.根据权利要求1所述的半导体晶片切割方法，其中使用跨越所述晶片的表面进行扫描的激光射束移除所述涂层的所述至少一部分以形成经图案化涂层。

4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的半导体晶片切割方法，其中所述以所述等离子体处理条件对所述晶片进行蚀刻包括对所述晶片进行的基本上各向同性蚀刻。

5.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的半导体晶片切割方法，其中所述以所述等离子体处理条件对所述晶片进行蚀刻包括使用含氟蚀刻气体对所述晶片进行的基本上各向同性蚀刻。

6.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的半导体晶片切割方法，其进一步包括将所述工件安置于粘胶带上且在所述等离子体处理步骤之前将安置于所述胶带上的所述工件安装于晶片框架上。

7.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的半导体晶片切割方法，其中所述等离子体处理条件包括使蚀刻气体以在范围50到300sccm中的流率穿过所述处理室。

8.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的半导体晶片切割方法，其中所述等离子体处理条件包括或进一步包括将所述处理室内的压力维持在10到80mT的范围中。

9.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的半导体晶片切割方法，其中所述等离子体处理条件包括或进一步包括以在范围100到1000W中的电功率对所述压板进行电偏置。

10.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的半导体晶片切割方法，其中所述等离子体处理条件包括或进一步包括将等离子体维持在所述室内达10到60秒的持续时间。

11.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的半导体晶片切割方法，其中所述等离子体处理条件包括或进一步包括将在范围1000到3000W中的电功率提供到与等离子体产生布置相关联的线圈。

12.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的半导体晶片切割方法，其中所述底切在所述涂层下面延伸大致3到7μm。

13.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的半导体晶片切割方法，其中在所述同一处理室内执行所述工件的所述等离子体处理及所述工件的所述等离子体蚀刻。

14.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的半导体晶片切割方法，其中在所述工件的所述等离子体处理之后直接执行所述工件的所述等离子体蚀刻。

15.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的半导体晶片切割方法，其进一步包括从所述经等离子体切割的晶片移除所述涂层。

16.一种经配置以执行根据前述权利要求中任一权利要求所述的半导体晶片切割方法的系统。