[发明专利]一种降低HVPE外延膜中Si含量的镓舟结构有效
申请号: | 202011141095.0 | 申请日: | 2020-10-22 |
公开(公告)号: | CN112210828B | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 董增印;张嵩;王健;程红娟;李强;程文涛 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
主分类号: | C30B29/16 | 分类号: | C30B29/16;C30B25/02 |
代理公司: | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人: | 王凤英 |
地址: | 300220*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明公开了一种降低HVPE外延膜中Si含量的镓舟结构。该结构为多层结构,外层为石英管,左端密封在HVPE的法兰上,起到支撑的作用;中层为两个热解氮化硼管,分别为第一热解氮化硼管和第二热解氮化硼管,防止腐蚀性气体Cl |
||
搜索关键词: | 一种 降低 hvpe 外延 si 含量 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十六研究所,未经中国电子科技集团公司第四十六研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011141095.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。