[发明专利]等离子体切单的、污染物减少的半导体管芯在审
| 申请号： | 202011139738.8 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112701062A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 洪正杓;莫哈默德阿克巴尔莫哈默德萨姆;G·M·格里弗纳 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/78 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“等离子体切单的、污染物减少的半导体管芯”。本发明公开了无污染物等离子体切单工艺，其中将在等离子体切单期间使用的材料的残余物从所得半导体管芯的侧壁完全去除，而不损坏该半导体管芯。通过此类无污染物等离子体切单工艺，可制造半导体管芯。该半导体管芯可包括第一多个侧壁凹陷部，该第一多个侧壁凹陷部形成在该半导体管芯的衬底的位于该衬底的第一表面与第二表面之间的侧壁中，该第一多个侧壁凹陷部各自具有至多第一深度；以及第二多个侧壁凹陷部，该第二多个侧壁凹陷部形成在该衬底的该侧壁中并且设置在该第一多个侧壁凹陷部与该第二表面之间，该第二多个侧壁凹陷部各自具有大于该第一深度的至少第二深度。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 污染物 减少 半导体 管芯 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
