[发明专利]电子器件及其制造方法

摘要

本申请公开了电子器件及其制造方法。电子器件包括半导体存储器，半导体存储器包括：衬底，其包括单元区域、设置在单元区域两侧的第一外围电路区域和第二外围电路区域；第一线路，其延伸穿越单元区域和第一外围电路区域；第二线路，其设置在第一线路之上并且延伸穿越单元区域和第二外围电路区域；接触插塞，其在第二外围电路区域中并且连接到第二线路；第三线路，其设置在第二线路之上并且分别与第二线路交叠；以及第一存储单元，其设置在单元区域中并且位于第一线路和第二线路的相交处在第一线路和第二线路之间，其中第三线路的位于单元区域中并且在接触插塞之上的部分接触第二线路，并且第三线路的部分剩余部分与第二线路隔开。