[发明专利]GeSiOI衬底及其制备方法、GeSiOI器件及其制备方法

摘要

本发明涉及GeSiOI衬底及其制备方法、GeSiOI器件及其制备方法。一种GeSiOI衬底，包括由下至上依次堆叠的：硅衬底，埋氧层，保护层，Ge1‑xSix层；其中，0.1≤x≤0.3，Ge1‑xSix层的厚度≤100nm。制备方法：在硅衬底上依次沉积锗缓冲层、Ge1‑xSix层、保护层，得到第一多层材料结构；在硅衬底上沉积埋氧层，得到第二多层材料结构；将上述两个结构键合；再依次刻蚀去除硅衬底和锗缓冲层，之后将Ge1‑xSix层刻蚀至厚度≤100nm。本发明提高了GeSiOI衬底的迁移率，获得了掺杂的GeSiOI器件，降低了器件的源漏电阻，提升了器件开态电流。