[发明专利]氧化物半导体薄膜测试装置在审
| 申请号： | 202011109735.X | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112824883A | 公开（公告）日： | 2021-05-21 |
| 发明（设计）人： | 朴瑨哲;柳贤雨 | 申请（专利权）人： | 亚威科股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04;G01R27/08 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 姜虎;陈英俊 |
| 地址： | 韩国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化物半导体薄膜测试装置，包括：接触部，用于与氧化物半导体薄膜接触；电压施加部，与所述接触部连接，通过所述接触部向所述氧化物半导体薄膜施加测试电压，所述测试电压从预设的初始电压升高至预设的最大电压之后再次降低至所述初始电压；电流测量部，用于测量对所述氧化物半导体薄膜施加所述测试电压时的测试电流；以及计算部，在所述测试电压以从所述初始电压升高至所述最大电压之后再次降低至所述初始电压的方式施加于所述氧化物半导体薄膜的过程中，利用由所述电压施加部施加于所述氧化物半导体薄膜的测试电压和由所述电流测量部按照不同的所述测试电压分别测量的测试电流，计算所述氧化物半导体薄膜的电特性值。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜 测试 装置 | ||
【主权项】：
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