[发明专利]氧化物半导体薄膜测试装置

说明书

本发明涉及一种氧化物半导体薄膜测试装置，包括：接触部，用于与氧化物半导体薄膜接触；电压施加部，与所述接触部连接，通过所述接触部向所述氧化物半导体薄膜施加测试电压，所述测试电压从预设的初始电压升高至预设的最大电压之后再次降低至所述初始电压；电流测量部，用于测量对所述氧化物半导体薄膜施加所述测试电压时的测试电流；以及计算部，在所述测试电压以从所述初始电压升高至所述最大电压之后再次降低至所述初始电压的方式施加于所述氧化物半导体薄膜的过程中，利用由所述电压施加部施加于所述氧化物半导体薄膜的测试电压和由所述电流测量部按照不同的所述测试电压分别测量的测试电流，计算所述氧化物半导体薄膜的电特性值。

技术领域

本发明涉及用于测试氧化物半导体薄膜的电特性等的氧化物半导体薄膜测试装置。

背景技术

氧化物半导体(Oxide Semiconductor)是一种由金属氧化物制成的半导体，可以在制造显示器、太阳能电池(Solar Cell)等的过程中蒸镀到基板上，形成氧化物半导体薄膜。

例如，由铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)组成的铟镓氧化锌(IGZO)可以在制造显示器的薄膜晶体管(TFT)的过程中被蒸镀到基板上，形成氧化物半导体薄膜。

以往是在蒸镀有除氧化物半导体薄膜以外的由其他材料组成的多种薄膜的状态下对氧化物半导体薄膜测试了电特性。因此，以往存在的问题在于，因氧化物半导体薄膜与其他多种薄膜之间的相互作用而难以测试氧化物半导体薄膜自身的电特性并且测试结果的准确性低。

发明内容

技术问题

本发明为了解决上述技术问题而被提出，旨在提供一种氧化物半导体薄膜测试装置，所述氧化物半导体薄膜测试装置能够消除测试氧化物半导体薄膜自身的电特性的操作中存在的困难并提高测试结果的准确性。

技术方案

为了解决上述技术问题，本发明可以包括如下构成。

本发明的氧化物半导体薄膜测试装置可以包括：接触部，用于与氧化物半导体薄膜接触；电压施加部，与所述接触部连接，通过所述接触部向所述氧化物半导体薄膜施加测试电压，所述测试电压从预设的初始电压升高至预设的最大电压之后再次降低至所述初始电压；电流测量部，用于测量对所述氧化物半导体薄膜施加所述测试电压时的测试电流；以及计算部，在所述测试电压以从所述初始电压升高至所述最大电压之后再次降低至所述初始电压的方式施加于所述氧化物半导体薄膜的过程中，利用由所述电压施加部施加于所述氧化物半导体薄膜的测试电压以及由所述电流测量部按照不同的所述测试电压分别测量的测试电流，计算所述氧化物半导体薄膜的电特性值。

有益效果

本发明具有以下效果。

本发明能够计算出与氧化物半导体薄膜的电特性存在相关关系的电特性值，从而测试氧化物半导体薄膜自身的电特性。因此，本发明能够方便地进行测试氧化物半导体薄膜自身的电特性的操作，并提高对氧化物半导体薄膜自身的电特性的测试结果的准确性。

附图说明

图1是本发明的氧化物半导体薄膜测试装置的概略构成图。

图2是关于本发明的氧化物半导体薄膜测试装置对氧化物半导体薄膜的测试结果中的测试电压和测试电流的图表。

图3是用于描述本发明的氧化物半导体薄膜测试装置以单位电压为调节单位调节测试电压的方式的图表。

图4是为了描述本发明的氧化物半导体薄膜测试装置计算出阈值电压的过程而将图2中的A部分放大示出的图表。

图5是为了描述本发明的氧化物半导体薄膜测试装置计算出电导和转换电压的过程而将图2中的B部分放大示出的图表。