[发明专利]氧化物半导体薄膜测试装置

权利要求书

1.一种氧化物半导体薄膜测试装置，其特征在于，包括：

接触部，用于与氧化物半导体薄膜接触；

电压施加部，与所述接触部连接，通过所述接触部向所述氧化物半导体薄膜施加测试电压，所述测试电压从预设的初始电压升高至预设的最大电压之后再次降低至所述初始电压；

电流测量部，用于测量对所述氧化物半导体薄膜施加所述测试电压时的测试电流；以及

计算部，在所述测试电压以从所述初始电压升高至所述最大电压之后再次下降至所述初始电压的方式施加于所述氧化物半导体薄膜的过程中，利用由所述电压施加部施加于所述氧化物半导体薄膜的测试电压以及由所述电流测量部按照不同的所述测试电压分别测量的测试电流，计算所述氧化物半导体薄膜的电特性值。

2.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜测试装置，其特征在于，

所述电压施加部包括：

电压产生模块，用于产生电压；以及

电压调节模块，使所述电压产生模块产生的电压在相当于负电压的所述初始电压与相当于正电压的所述最大电压之间变动，从而生成所述测试电压。

3.根据权利要求2所述的氧化物半导体薄膜测试装置，其特征在于，

所述电压调节模块以预设的单位电压为调节单位，使所述电压产生模块产生的电压在所述初始电压与所述最大电压之间变动。

4.根据权利要求3所述的氧化物半导体薄膜测试装置，其特征在于，

所述电压调节模块以5V以下的所述单位电压为调节单位，调节所述电压产生模块产生的电压。

5.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜测试装置，其特征在于，

所述接触部包括：第一接触部件，与所述氧化物半导体薄膜接触；以及第二接触部件，在从所述第一接触部件隔开的位置上与所述氧化物半导体薄膜接触，

所述电压施加部通过与所述氧化物半导体薄膜接触的所述第一接触部件和所述第二接触部件向所述氧化物半导体薄膜施加所述测试电压，

所述电流测量部通过与所述氧化物半导体薄膜接触的所述第一接触部件和所述第二接触部件测量所述测试电流。

6.根据权利要求5所述的氧化物半导体薄膜测试装置，其特征在于，

包括降压部，所述降压部向所述氧化物半导体薄膜施加降压电压，从而产生电场，

以所述氧化物半导体薄膜为基准，所述降压部与所述接触部配置于彼此相反的两侧。

7.根据权利要求6所述的氧化物半导体薄膜测试装置，其特征在于，

所述第一接触部件与所述第二接触部件配置成沿第一轴方向隔开第一距离，

所述降压部形成为，以所述第一轴方向为基准，与所述第一距离等长，或以所述第一轴方向为基准，比所述第一距离更长。

8.根据权利要求5所述的氧化物半导体薄膜测试装置，其特征在于，

包括光照射部，所述光照射部照射用于提高所述氧化物半导体薄膜的电流活度的激励光，

所述光照射部朝向位于所述第一接触部件与所述第二接触部件之间的氧化物半导体薄膜的部分照射所述激励光。

9.根据权利要求8所述的氧化物半导体薄膜测试装置，其特征在于，

所述第一接触部件与所述第二接触部件沿第一轴方向隔开，

以所述第一轴方向为基准，所述光照射部配置在分别与所述第一接触部件和所述第二接触部件隔开相同距离的位置上。

10.根据权利要求8所述的氧化物半导体薄膜测试装置，其特征在于，

包括配置于所述第一接触部件与所述第一接触部件之间的受光部，

以所述氧化物半导体薄膜为基准，所述接触部与所述光照射部配置于彼此相反的两侧，

所述受光部测量透过所述氧化物半导体薄膜而接收到的激励光中的预设的波长范围的强度，从而获取所述氧化物半导体薄膜的厚度。