[发明专利]集成电路结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202011107459.3 | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112687671A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 余振华;张维麟;王垂堂;陈颉彦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L21/98;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在实施例中，结构包括：处理器器件，该处理器器件包括逻辑器件并且没有存储器；第一存储器器件，通过金属至金属接合和电介质至电介质接合而直接面对面地接合至处理器器件；横向地围绕第一存储器器件的第一介电层；位于第一介电层和第一存储器器件上方的再分布结构，该再分布结构包括金属化图案；以及延伸穿过第一介电层的第一导电通孔，第一导电通孔将再分布结构的金属化图案连接至处理器器件。本发明的实施例还涉及集成电路结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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