[发明专利]空桥结构及其制作方法、超导量子芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 202011105613.3 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN113764261B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 张文龙;杨楚宏;淮赛男;郑亚锐;张胜誉;冯加贵;熊康林;武彪;黄永丹;陈肖;丁孙安 | 申请（专利权）人： | 腾讯科技（深圳）有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G06N10/20 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张筱宁 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实施例提供了一种空桥结构及其制作方法、超导量子芯片及其制作方法。该空桥结构及其制作方法利用无机材料来形成桥撑结构，能够通过调整第一光刻胶结构来调整桥撑结构的形状，从而获得形状符合预期的空桥结构；而且形成桥撑结构的过程的温度不会过高，能够避免高温引起的光刻胶性质改变而难以去除的问题，也能够避免高温对温度敏感器件的性质产生影响，同时，采用剥离第二光刻胶结构的方式来获得空桥结构，不必对空桥材料层进行刻蚀，防止底部的空桥结构的情况发生，能够有效改善含有空桥结构的产品的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 及其 制作方法 超导 量子 芯片 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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