[发明专利]熔丝结构及形成方法在审
| 申请号： | 202011086700.9 | 申请日： | 2020-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN114334902A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 王蒙蒙;黄信斌 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种熔丝结构及形成方法，其中，熔丝结构包括：第一电介质层，以及贯穿所述第一电介质层的至少两个分立的第一导电插塞；第二导电插塞，所述第二导电插塞电连接至少两个所述第一导电插塞；顶层金属层，所述顶层金属层电连接所述第二导电插塞，且位于所述第二导电插塞远离所述第一导电插塞的一侧；第二电介质层，所述第二电介质层位于所述第一电介质层顶部，且所述第二导电插塞以及所述顶层金属层位于所述第二电介质层内。本发明实施例简化了熔丝结构，提升了熔丝结构的产出效率。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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