[发明专利]NMOS器件的N型功函数层及其形成方法及MOSFET结构有效
| 申请号： | 202011084286.8 | 申请日： | 2020-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN112259449B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇;徐建华 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;H01L21/8238;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种NMOS器件的N型功函数层形成方法，涉及半导体集成电路制造技术，针对NMOS的N型功函数层的PVD工艺，首先形成NMOS的用于形成金属栅极的凹槽，然后采用低温PVD工艺沉积一薄层TiAl，作为缓冲层，以减少高温导致的铝扩散，然后高温退火，之后再采用高温PVD工艺沉积TiAl主体层，较高温度可增强沉积TiAl粒子在基底表面的移动性，产生回流现象，减小PVD的overhang，改善后续金属栅极填充的工艺窗口，也即采用两步PVD沉积，兼顾低温TiAl对Al扩散的抑制及缓冲能力和高温TiAl较小的overhang而改善填充效果。 | ||
| 搜索关键词： | nmos 器件 函数 及其 形成 方法 mosfet 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
