[发明专利]半导体功率器件在审
| 申请号： | 202011069972.8 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN114335170A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;王鑫;袁愿林;龚轶 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件，包括：元胞区和栅极总线区，所述元胞区包括多个周期性排列的元胞，所述元胞包括：n型外延层，位于所述n型外延层内的两个第一沟槽以及介于所述两个第一沟槽之间的两个第二沟槽，所述第二沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度；所述第二沟槽延伸至所述栅极总线区内，所述第二沟槽在所述栅极总线区内的宽度大于其在所述元胞区内的宽度。本发明可以降低栅源漏电导致半导体功率器件失效的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州东微半导体股份有限公司，未经苏州东微半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011069972.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
