[发明专利]一种抗EMI的SGT器件在审
| 申请号： | 202011060875.2 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112002686A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 郭乔;林泳浩;李伟聪 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 彭西洋;袁曼曼 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种抗EMI的SGT器件，包括第一导电类型的衬底、位于第一导电类型的衬底的上表面的第一导电类型的外延层、位于第一导电类型的外延层内的沟槽栅结构、位于第一导电类型的外延层侧面上方的沟槽源结构、位于沟槽源结构与第一导电类型的外延层之间的第一介质层及第一导电类型的重掺杂体区，以及位于沟槽栅结构的上方的第二介质层；所述沟槽栅结构包括栅极沟槽，以及位于栅极沟槽内的屏蔽栅极与多晶硅栅极；所述沟槽源结构包括源极沟槽，以及位于源极沟槽内的源极金属。本发明增大SGT源漏电容Cds，减少开关震荡，从而减少器件的电压震荡dv/dt失效可能性和EMI噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 emi sgt 器件 | ||
【主权项】：
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