[发明专利]半导体装置和设备有效
| 申请号： | 202011049822.0 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112635501B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 小川俊之 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京怡丰知识产权代理有限公司 11293 | 代理人： | 迟军 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体装置和设备。半导体装置包括彼此堆叠的第一和第二半导体部件。第一部件包括第一绝缘层和多个第一金属焊盘。第二部件包括第二绝缘层和多个第二金属焊盘。多个第一金属焊盘中的各个和多个第二金属焊盘中的各个彼此接合以形成多个接合部中的各个。沿半导体装置的边缘并穿过第一绝缘层和第二绝缘层之间的接合面的第一开口和第二开口形成在半导体装置中。多个接合部的第一开口和第二开口之间的第一接合部布置在不同的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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