[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202011040882.6 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112186083B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/26;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。第一GaN层、第二GaN层及第三GaN层均掺杂有n型杂质，用于提供用于复合的电子。电子在第一石墨烯层与第二石墨烯层中也具有较高的迁移速率。电子的迁移速率得到增加，进入有源层的电子的速率增加，因此可以将n型层中的n型杂质的浓度减小至6E17～8E18/cm |
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| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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