[发明专利]一种半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202011039422.1 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN111883477B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 罗雪婷;林士程;吴建宏 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;G03F7/16 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 102199 北京市大兴区经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体结构及其制造方法，包括：提供一基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的第一层叠结构；形成第二层叠结构于所述基底上；对所述第二层叠结构进行刻蚀，以在所述第二层叠结构中至少形成第一沟槽和第二沟槽；对所述第一沟槽和所述第二沟槽进行填充，以形成填充层，所述填充层的材料包括底部有机材料；形成抗反射层于所述第三氧化层上，形成图案化的光阻层于所述抗反射层上，所述图案化的光阻层的开口位置对应所述第一沟槽和/或所述第二沟槽的位置；刻蚀所述抗反射层、所述第三氧化层和部分所述填充层；移除所述图案化的光阻层、所述抗反射层。本发明提出的半导体结构及其制造方法可以提高光阻层的厚度均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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