[发明专利]半导体器件及其制备方法、存储装置在审
| 申请号： | 202011033098.2 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN114284214A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 金星 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提出一种半导体器件及其制备方法、存储装置。该半导体器件的制备方法包括：提供一半导体衬底，半导体衬底具有交替排布且邻接设置的多个第一区域和多个第二区域；在半导体衬底之上形成与第一区域和第二区域相交的层叠结构；在层叠结构表面形成侧墙结构，侧墙结构与层叠结构组成位线；填充牺牲层，牺牲层的高度大于或等于位线的高度；对第一区域的侧墙结构进行刻蚀，使层叠结构与侧墙结构形成中间高于两侧的台阶状；在第一区域的半导体衬底之上形成介质层；对介质层和位线进行平坦化处理，以去除远离半导体衬底一侧的部分介质层和部分层叠结构。该半导体器件不会产生电容接触孔短路，不会导致绝缘性能下降。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 存储 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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