[发明专利]半导体表面加工方法在审
| 申请号： | 202011032295.2 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN114284142A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 陈儒 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/027 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子技术领域，公开了一种半导体表面加工方法，包括：将光刻胶涂覆在半导体表面的非加工区域；将涂胶后的半导体置于处理室中；对所述处理室进行抽真空处理，使得所述处理室的真空度达到预设值；向所述处理室中通入混合气体，并将所述混合气体离子化，以形成离子束；其中，所述混合气体包括惰性气体和碳氢化合物气体；控制所述离子束对所述涂胶后的半导体进行蚀刻处理。采用本发明实施例，能够实现对半导体表面刻蚀的精细化控制，并且减少侧向刻蚀的现象，取得较高的表面加工质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 表面 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
