[发明专利]一种不同真空度封装的MEMS圆片级真空封装方法有效
| 申请号： | 202011024266.1 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112265956B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 王帆;宋东方;王得收;喻磊;周魁 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/67 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233030 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种不同真空度封装的MEMS圆片级真空封装方法，包括以下步骤：MEMS衬底晶圆制作；将SOI顶层硅面与衬底晶圆顶面键合；去除SOI晶圆的底层硅和埋氧层，通过深硅刻蚀工艺将SOI晶圆的顶层硅释放形成两个可动结构，得到包含第一MEMS结构与第二MEMS结构的MEMS器件结构晶圆；制备第一盖帽；第一次真空封装；在第一盖帽刻蚀透气孔；第二次真空封装；该方法能够在同一圆片上制作不同MEMS器件时实现不同真空度的封装需求，容易实施，且过程可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 不同 真空 封装 mems 圆片级 方法 | ||
【主权项】：
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