[发明专利]一种不同真空度封装的MEMS圆片级真空封装方法

权利要求书

1.一种不同真空度封装的MEMS圆片级真空封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、选择双抛硅片作为衬底晶圆，在衬底晶圆顶面刻蚀第一腔体、第二腔体与第三腔体；

S2、选择SOI晶圆作为结构层晶圆，将SOI顶层硅面与衬底晶圆顶面键合；

S3、抛光去除SOI晶圆的底层硅和埋氧层，通过深硅刻蚀工艺将SOI晶圆的顶层硅释放形成两个可动结构，两个可动结构分别与第一腔体及第二腔体形成配合，得到包含第一MEMS结构与第二MEMS结构的MEMS器件结构晶圆；

S4、选择双抛硅片作为第一盖帽晶圆，在第一盖帽晶圆上制备第四腔体、第五腔体与第六腔体，第四腔体、第五腔体及第六腔体分别与第一腔体、第二腔体及第三腔体一一对应，得到第一盖帽；

在第一盖帽晶圆上印刷玻璃浆料或金属图形化制作第一键合环，第五腔体与第六腔体之间的第一盖帽晶圆不制作键合环；

S5、在第四腔体内制备第一吸气剂层；

S6、将第一盖帽与MEMS器件结构晶圆键合，完成第一MEMS结构的真空封装；第六腔体与第二腔体之间形成气道；

S7、在第一盖帽刻蚀透气孔，透气孔与第六腔体相连通，通过气道使第二MEMS结构通过透气孔与外部环境相连通；

S8、选择双抛硅片作为第二盖帽晶圆，在第二盖帽晶圆上制备第七腔体与第八腔体，第七腔体与第四腔体相对应，第八腔体与第五腔体及第六腔体相对应，得到第二盖帽；在第八腔体内制备第二吸气剂层；将第二盖帽键合在第一盖帽顶部，完成第二MEMS结构的真空封装。

2.根据权利要求1所述的一种不同真空度封装的MEMS圆片级真空封装方法，其特征在于，步骤S8采用LPCVD、SACVD或APCVD工艺在第一盖帽顶面沉积硼磷玻璃层或磷玻璃层，将透气孔封住，完成第二MEMS结构的真空封装。